TISP8201MDR-S价格

参考价格:¥3.9382

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TISP8201MDR-S

COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION

文件:329.38 Kbytes Page:13 Pages

BOURNS

伯恩斯

TISP8201MDR-S

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:带盒(TB) 描述:THYRISTOR 120V 45A 8SOIC 电路保护 TVS - 晶闸管

ETC

知名厂家

TISP8201MDR-S

SCR PROTECTOR - BUFFERED N-GATE PROG. PROT.

BOURNS

伯恩斯

Pseudo inductance for telephones

The BA8201 and BA8201F are ICs with a choke coil action, capable of extracting the DC current from a telephone line while maintaining a high inductance on the telephone line side. This eliminates the need for a choke coil, and facilitates use of the telephone set line in a variety of applications.

ROHM

罗姆

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances, re

POLYFET

18W BTL x 2CH AUDIO POWER AMPLIFIER

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TOSHIBA

东芝

18W BTL x 2CH AUDIO POWER AMPLIFIER

文件:488.37 Kbytes Page:11 Pages

TOSHIBA

东芝

BTL AUDIO POWER AMPLIFIER

文件:413.12 Kbytes Page:8 Pages

TOSHIBA

东芝

TISP8201MDR-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TISP8201MDR-S

  • 功能描述

    SCR PROTECTOR - BUFFERED N-GATE PROG. PROT.

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics 最大转折电流

  • IBO

    480 A 额定重复关闭状态电压

  • VDRM

    600 V

  • 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)

    5 uA

  • 开启状态

    RMS

  • 正向电压下降

    1.6 V

  • 栅触发电压(Vgt)

    1.3 V

  • 最大栅极峰值反向电压

    5 V

  • 栅触发电流(Igt)

    35 mA 保持电流(Ih

  • 最大值)

    75 mA

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-220

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-14 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BOURNS
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