位置:首页 > IC中文资料第60页 > TIP105G

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TIP105G

Plastic Medium?뭁ower Complementary Silicon Transistors

文件:87.6 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

TIP105G

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

文件:138.03 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

POWER TRANSISTORS(8A,60-100V,80W)

8 Ampere DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 80 WATTS TIP100,TIP101,TIP102 --> NPN TIP105,TIP106,TIP107 --> PNP

MOSPEC

统懋

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60– 80– 100 VOLTS 80 WATTS . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain —hFE= 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc

MOTOROLA

摩托罗拉

HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(1.0A,50-400V)

Switchmode Power Rectifiers HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS 1.0 AMPERES 50 -- 400 VOLTS

MOSPEC

统懋

Hybrid Power Module

The RF Line VHF Power Amplifier The MHW105 is designed specifically for portable radio applications. The MHW105 is capable of 5.0 watts power output, operates from a 7.5 volt supply and requires only 1.0 mW of RF input power. • Specified 7.5 Volt Characteristics: RF Input Power — 1.0 mW (0

MOTOROLA

摩托罗拉

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(1.0A,20-60V)

MOSPEC

统懋

TIP105G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIP105G

  • 功能描述

    达林顿晶体管 8A 60V Bipolar Power PNP

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-7-23 8:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
25+
-
20948
样件支持,可原厂排单订货!
onsemi(安森美)
25+
-
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

TIP105G数据表相关新闻