型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level

文件:160.67 Kbytes Page:4 Pages

TOSHIBA

东芝

IM3=-45 dBc at Pout= 36.5dBm Single Carrier Level

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 48dBm at Pin= 40.5dBm ・HIGH GAIN GL= 12.0dB at Pin= 20dBm ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 41dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

TIM7179-60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIM7179-60

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED,7GHZ,12.5W - Trays

更新时间:2025-12-8 20:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
85
现货供应
TOSHIBA/东芝
23+
N/A
7560
原厂原装
TOSHIBA
24+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
TOSHIBA
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
CRRC/中车
24+
MODULE
1000
全新原装现货
TOSHIBA
18+
2-16G1B
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
TOSHIBA/东芝
23+
SMD
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
TOSHIBA/日本东芝
23+
NA
5000
公司只做原装,可配单
TOSHIBA
19+
微波高频管
1000
全新原装正品、可开增票、可溯源、一站式配单

TIM7179-60数据表相关新闻