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TIM1414-4-252

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ● HIGH POWER P1dB=36.0 dBm at 13.75 GHz to 14.5 GHz ● HIGH GAIN G1dB=5.5 dB at 13.75 GHz to 14.5 GHz ● BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ● HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

TIM1414-4-252

MICROWAVE POWER GaAs FET

TOSHIBA

东芝

TIM1414-4-252产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TIM1414-4-252

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANSISTOR,GAAS FET INTERNALLY MATCHED, 14GHZ, 30W - Trays

更新时间:2026-1-27 16:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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