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MICROWAVEPOWERGaAsFET

FEATURES ●HIGHPOWERP1dB=42.5dBmat14.0GHzto14.5GHz ●HIGHGAING1dB=6.0dBat14.0GHzto14.5GHz ●BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ●HERMETICALLYSEALEDPACKAGE ●LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3(Min.)=−25dBcatPo=36dBmSingleCarrierLevel

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-15 22:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
24+
NA/
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TOSHIBA
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明嘉莱只做原装正品现货
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Toshiba
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