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MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ■ LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3=-45 dBc at Pout= 30.0dBm Single Carrier Level ■ HIGH POWER P1dB=42.0dBm at 14.0GHz to 14.5GHz ■ HIGH GAIN G1dB=6.0 dB at 14.0 GHz to 14.5GHz ■ BROADBANDINTERNALLY MATCHEDFET ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

X,Ku-Band Internally Matched FET

文件:221.09 Kbytes Page:5 Pages

EUDYNA

更新时间:2025-12-8 23:01:01
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