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TGF2979-SM

25 W, 32 V, DC – 12 GHz, GaN RF Transistor

Key Features • Frequency: DC to 12 GHz • Output Power (P3dB)1: 22 W • Linear Gain1: 11 dB • Typical PAE (3dB)1: 45% • Operating Voltage: 32 V • Low thermal resistance package • CW and Pulse capable • 3 x 4 mm package Note: @ 9.4 GHz Applications • Military radar • Commercial rada

QORVO

威讯联合

TGF2979-SM

DC - 12 GHz, 25 Watt, 32 V GaN RF Transistor

QORVO

威讯联合

Silicon NPN Triple Diffused

Application High voltage, high speed and high power switching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

300 MHz Bandpass Filter

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KR

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Implementing a simple ADC using the STM8L101xx comparator

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Tyco Electronics Solar Identification Labels

文件:308.28 Kbytes Page:12 Pages

MACOM

更新时间:2026-1-5 17:54:00
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