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TGF2819-FLEVB03

DC – 4 GHz, 50 V, 200 W GaN RF Transistor

Key Features  Frequency: DC to 4 GHz  Output Power (P3dB)1: 257 W  Linear Gain1: 18 dB  Typical PAE3dB 1: 67.5  Operating Voltage: 50 V  CW and Pulse capable Note 1: @ 3 GHz Load Pull

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更新时间:2026-1-2 16:02:00
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