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TF080P02M

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

● General Description The TF080P02M combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package toprovideextremely low RDS(ON). ● Features Advance high cell density Trench technology Low RDS(ON) to minimize conductive loss Low Gate Charge for fast switching Low Thermal resi

TUOFENG

拓锋半导体

更新时间:2025-8-15 23:00:00
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