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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheAO4476usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasahighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications.StandardProductAO4476isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Features

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

N-Channel20V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelMOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=15A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

Description: ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features: 1)VDS=30V,ID=10.3A,RDS(ON)

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

HEYbrid™Brass/NylonLiquidTightCordgrips

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HeycoHeyco.

海科

Heyco
更新时间:2025-7-9 22:30:01
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