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TDM3435

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

DESCRIPTION The TDM3435 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GENERAL FEATURES  ‐30V/‐68A  RDS(ON)

TECHCODETECHCODE SEMICONDUCTOR, INC.

泰德半导体泰德半导体有限公司

TDM3435

MOSFET

TECHCODETECHCODE SEMICONDUCTOR, INC.

泰德半导体泰德半导体有限公司

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO3435/L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.5V. This device is suitable for use in buck convertor applications. AO3435 and AO3435L are electrically identical. -RoHS Compliant -

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更新时间:2025-9-23 17:52:00
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