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N-CHANNEL POWER MOSFETS

N-Channel Power MOSFETs

SAMSUNG

三星

Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W, 175MHz)

Description: The NTE343 is a silicon NPN epitaxial planer type transistor designed for RF power amplifiers on VHF band mobile radio applications. Features: ● High Power Gain: Gpe ≥ 7.5dB (VCC = 13.5V, PO = 14W, f = 175MHz) ● Ability to Withstand more than 20:1 VSWR Load when Operated at: VCC =

NTE

High Voltage Operational Amplifier

文件:228.44 Kbytes Page:12 Pages

NSC

国半

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

文件:114.26 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

SINGLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

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TI

德州仪器

更新时间:2026-5-24 16:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-3
10000
IR
23+
TO-3
7000
IR/MOT
专业铁帽
TO-3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
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23+
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  • TD2676

    TD2676,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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    TD4300,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    TD1509,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    特点 0.75A source/1.2A汇分钟栅极驱动 有源米勒钳位功能 双关断带可调水平步骤和延迟 去饱和检测 故障状态输出 负栅极驱动能力 输入脉冲变压器或兼容光耦合器 独立的接收器和源输出,方便栅极驱动 UVLO保护 2kV的ESD保护 说明 TD350是一种先进的IGBT栅极驱动器和功率MOSFET。控制和保护功能包括并允许高可靠性设计系统。米勒钳位功能的创新活动避免了负栅极驱动需要在大

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