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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=15.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PowerMOSFET

文件:259.72 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN
更新时间:2025-7-17 22:59:01
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