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TOSHIBACMOSLinearIntegratedCircuitSiliconMonolithic

Features UltrasmallpackageDFN4C/DFN4F(1.0mmx1.0mm;t0.38mm(Typ.)). HighRipplerejectionratio100dB(Typ.)@1kHz(VOUT=2.8V) HighRipplerejectionratio93dB(Typ.)@10kHz(VOUT=2.8V) HighRipplerejectionratio68dB(Typ.)@100kHz(VOUT=2.8V) HighRipplerejection

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-8 18:17:01
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