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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH

DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channelpowerMOSfieldeffecttube

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FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富满微富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

ThermallyConductiveAdhesiveTransferTapes

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3M

3M Electronics

3M
更新时间:2025-7-8 18:44:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LUMBERG
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    概述对于狭小的应用,TCN4040精度参考电压可在节省空间的采用3mmx为1.3mm的SOT-466-3的表面贴装封装。该TCN4040省去了外部稳定的需要电容器,同时保持与稳定的任何电容负载。最小工作电流为60mA的。最高工作电流15mA。为了保证为主要部件有一个准确度优于±0.5%,至25(C级)°C时,TCN4040使用保险丝和齐纳ZAP公司在反向击穿电压调整晶圆。低动态阻抗和带隙基准温度漂移曲率校正保持稳定的反向在很宽的范围内击穿电压精度工作温度(-40°C至+85°C)和电流从(60mA时至15mA)。该TCN4040也都可用,可调1

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