| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha | NTE |   | ||
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Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns | NTE | NTE | | |
MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS | NTE | NTE | | |
1024 BIT FULLY DECODED STATIC MOS RANDOM ACCESS MEMORY | NEC 瑞萨 | NEC | |
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