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4 GBIT (512M × 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM

DESCRIPTION The TC58BVG2S0HBAI6 is a single 3.3V 4Gbit (4,429,185,024 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (4096 + 128) bytes × 64 pages × 2048 blocks. The device has a 4224-byte static register which allows program and read data to be tr

TOSHIBA

东芝

TC58BVG2S0HBAI6YCL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TC58BVG2S0HBAI6YCL

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

更新时间:2025-11-22 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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