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TC551402J_V01

4,194,304WORDx1BIT/1,048,576WORDx4BITCMOSSTATICRAM

Description TheTC551402Jisa4,194,304bithighspeedCMOSstaticrandomaccessmemorythatisconfigurabletoanorganizationof either4,194,304wordsby1bitor1,048,576wordsby4bitswhenpowerisinitiallyappliedtothedevice.Themode(x1/x4)is selectedbytheinputlevelofpin

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-7 11:44:00
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