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TC51V8512ATR-12

524,288 WORD x 8 BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

Description The TC51V8512AF is a 4M bit high speed CMOS pseudo static RAM organized as 524,288 words by 8 bits. The TC51V8512AF utilizes a one transistor dynamic memory cell with CMOS peripheral circuitry to provide high capacity, high speed and low power storage. The TC51V8512AF operates from

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-9-30 8:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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TOSHIBA
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原装正品,支持实单
Cornell-Dubilier
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全新原装 货期两周

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