位置：首页 > IC中文资料第1240页 > TC4422AEPA
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4422 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the sour | AOSMD 万国半导体 |   | ||
N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4422A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a Kelvin connection to the source, which may be used to bypass the sou | AOSMD 万国半导体 | | ||
JST PH 2.0mm Pitch Connector Kit - 220 Piece Kit 文件：469.04 Kbytes Page：2 Pages | Adafruit | | ||
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：341.22 Kbytes Page：5 Pages | AnalogPower | |
TC4422AEPA产品属性
- 类型
描述
- 型号
TC4422AEPA
- 功能描述
功率驱动器IC 9A Sngl MOSFET Drvr
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MO&U |
23+ |
SOP8 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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ALPHA |
24+ |
SOP |
288 |
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AOS/万代 |
25+ |
SOP-8 |
32059 |
AOS/万代全新特价AO4422A/AO4822即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
AOSMD |
22+ |
SOP-8 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
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AOS |
21+ |
SOP8 |
2725 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
AOS/万代 |
2022+ |
SOP-8 |
19815 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
AOS/万代 |
24+ |
SOP8 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
|||
AOS/万代 |
2021+ |
SOP8 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
AO |
24+ |
SO8 |
16427 |
公司现货库存 支持实单 |
|||
AOS/万代 |
24+ |
SOP-8 |
60000 |
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TC4422AEPA规格书下载地址
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2025-1-2TC4426ACOA
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2020-7-29TC4420CPA
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2020-4-22TC4421-9A高速MOSFET驱动器
概述 该TC4421/4422高电流缓冲器/驱动器能够驱动大功率MOSFET和IGBT。他们基本上不受任何形式的破坏除非直接过压或过耗散- 他们不能在任何情况下被锁定在其权力和额定电压，它们不受损坏或不当操作时高达5V的地面上存在反弹他们的地面终端设备，他们可以接受，没有任何逻辑损坏或破坏，感应电流大于1A的任何极性被迫返回他们的产出。此外，所有终端得到充分保护，免受高达4千伏静电放电。该TC4421/4422输入可直接驱动，从TTL或CMOS（3V至18V）。此外，300 mV的迟滞建成投入，提供噪声免疫力并允许设备从缓慢上升或驱动下降波形。 应用
2013-2-24TC4420-6A条高速MOSFET驱动器
概述 该TC4420/4429是第6A（峰值），单输出MOSFET司机。在TC4429是一个反相驱动器（引脚兼容与TC429），而TC4420是一个非反相驱动器。这些驱动程序编造功耗低，更在CMOS高效运作与双极驱动程序。这两款器件具有TTL兼容的输入，可高为VDD+为0.3V或低至驱动- 5V的无烦恼或损坏设备。这消除了需要 外部电平转换电路及其相关费用，大小。输出摆幅轨到轨，确保更好地推进电压裕量，尤其是在上电/断电测序。孳生延迟时间仅为55nsec（典型值）和输出的上升和下降时间只有25nsec（典型值）到2500pF整个可用的电源电压范围。不像其他的司机，
2013-2-24
DdatasheetPDF页码索引
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