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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
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SGM2014-3.3	LowPower,LowDropout,250mA,RF-LinearRegulators GENERALDESCRIPTION TheSGM2014serieslow-power,low-noise,low-dropout,CMOSlinearvoltageregulatorsoperatefroma2.5Vto5.5Vinputanddeliverupto250mA.Theyaretheperfectchoiceforlowvoltage,lowpowerapplications. FEATURES -LowOutputNoise:30µVRMSTYP(10Hzto100kHz) -Ul	SGMICROSG Micro Corp 圣邦圣邦微电子（北京）股份有限公司

TC2014-3.3VCTTR超小型管供应商更多...

更新时间：2024-5-11 8:55:03

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深圳市宝隆宏业科技有限公司	TC2014-3.3VCTTR	MICROCHIP/微芯	22+		10500	只有原装低价实单必成	询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	TC2014-3.3VCTTR	MICROCHIP(美国微芯)	2021+	SOT-23-5	499		询价
深圳市亿顺芯科技有限公司	TC2014-3.3VCTTR	MICROCHIP	2022+	SOT23-5	57550		询价
深圳诚思涵科技有限公司	TC2014-3.3VCTTR	Microchip(微芯)	18+		9800	代理进口原装/实单价格可谈	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	TC2014-3.3VCTTR	MICROCHIP/微芯	23+	SOT23-5	393428	专业LDO有现货热卖品	询价
深圳市凌旭科技有限公司	TC2014-3.3VCTTR	MICROCHIP/微芯	21+	NA	1508	只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货!	询价

TC212S8F133NACKXUMA1
原装正品现货
2022-6-28
TC222S16F133FACKXUMA1
原装正品现货
2022-5-26
TC160G16AF-0015，TC160G41AF-1415，TC160G70AF
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2020-4-12
TC203G74ES
TC203G74ES
2019-11-11
TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器
特征低的成本闭锁保护：可承受500毫安的反输出电流ESD保护..................±2千伏高峰值输出电流.................1.2A的峰值高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec宽工作电压范围.................4.5V至16V的低延时.................75nsec最大独立的逻辑输入阈值电源电压输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..
2013-2-24
TC170-CMOS电流模式PWM控制器
TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。50nsec的典型输出上升和下降时间（1000pF的容性负载）最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路（见功能）。电流模式控制，允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2％，大大减少了外部组件计数。TC170
2012-11-25