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TC1N60	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Small Signal Schottky Diodes 文件：92.35 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
TC1N60	肖特基二极管	TAKCHEONG 德昌电子	TAKCHEONG
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TC1N6000B	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件：93.38 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
TC1N6001B	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件：93.38 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
TC1N6001B	稳压二极管	TAKCHEONG 德昌电子	TAKCHEONG
TC1N6002B	稳压二极管	TAKCHEONG 德昌电子	TAKCHEONG
TC1N6002B	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件：93.38 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
TC1N6003B	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件：93.38 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
TC1N6004B	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件：93.38 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
TC1N6005B	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件：93.38 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
TC1N6006B	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件：93.38 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
TC1N6007B	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators 文件：93.38 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
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TC1N60P	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Small Signal Schottky Diodes 文件：75.71 Kbytes Page：2 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
TC1N60P	500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Small Signal Schottky Diodes 文件：92.35 Kbytes Page：3 Pages	TAK_CHEONG 德昌电子	TAK_CHEONG
MTD1N60E	TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition this advanced TMOS E	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MTP1N60E	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage–blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced TMOS E–FET is designed to withstand hi	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
PHP1N60E	PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS
PHT1N60R	PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance. Intended for use in Compact Fluorescent Lights	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS
PHX1N60E	PowerMOS transistor Isolated version of PHP1N60E GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a full pack, plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Pow	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS

TC1N60产品属性

类型
描述
VRRM(V)：
40
IFSM(A)：
0.15
VF@IF(V)：
0.5
IF(mA)：
1
IR@VR(μA)：
0.5
VR(V)：
15
Trr(ns)：
1
Package：
DO-35

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更新时间：2026-8-2 15:01:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	TC1N60P	JXND/嘉兴南电	22+	DO-35	20000	只做原装品质保障	询价

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