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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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TC1N60 | 500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Small Signal Schottky Diodes 文件：75.71 Kbytes Page：2 Pages | TAK_CHEONG 德昌电子 |   | |
TC1N60 | 500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Small Signal Schottky Diodes 文件：92.35 Kbytes Page：3 Pages | TAK_CHEONG 德昌电子 | | |
TC1N60 | 肖特基二极管 | TAKCHEONG 德昌电子 | | |
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稳压二极管 | TAKCHEONG 德昌电子 | | ||
稳压二极管 | TAKCHEONG 德昌电子 | | ||
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500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Small Signal Schottky Diodes 文件：92.35 Kbytes Page：3 Pages | TAK_CHEONG 德昌电子 | | ||
1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in pow | UTC 友顺 | | ||
Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors FEATURES • Hermetically sealed • Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts • Glass passivated junction • Excellent clamping capability • Low zener impedance • 100 surge tested • -55°C to +150°C • Bi-directional MAXIMUM RATING • Peak Pulse Power (Ppk): 15000 Watts (10 x 1000µs)@25°C (see di | LITTELFUSE 力特 | | ||
GOLD BONDED GERMANIUM DIODE Germanium Glass Diode Features • Germanium Glass Diode • RoHS Compliance | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
JEDEC DO-7 PACKAGE JEDEC DO-7 PACKAGE | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Schottky Barrier Diode Features 1. High reliability 2. Low reverse current and low forward voltage Applications Low current rectification and high speed switching Construction Silicon epitaxial planar | FORMOSA 美丽微半导体 | |
TC1N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
TC1N60
- 制造商
TAK_CHEONG
- 制造商全称
Tak Cheong Electronics(Holdings) Co.,Ltd
- 功能描述
500 mW DO-35 Hermetically Sealed Glass Small Signal Schottky Diodes
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TXCCORPO |
24+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
TOS |
24+ |
SOP8 |
6232 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
RONGFENG |
22+ |
RFLB |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
TOSHIBA |
22+ |
SOP8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
Semitehelec |
24+ |
SOD-523 |
18000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
ONSEMI |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
TRIPATH |
02+ |
12500 |
自己公司全新库存绝对有货 |
||||
TRIPATH |
23+ |
SOP28 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
TATPATR |
24+ |
SOP |
114 |
||||
N/A |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
TC1N60规格书下载地址
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2020-4-12TC203G74ES
TC203G74ES
2019-11-11TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器
特征 低的成本 闭锁保护：可承受500毫安的反输出电流 ESD保护..................±2千伏 高峰值输出电流................. 1.2A的峰值 高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec 宽工作电压范围.................4.5V至16V的 低延时................. 75nsec最大 独立的逻辑输入阈值电源电压 输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..
2013-2-24TC170-CMOS电流模式PWM控制器
TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。 50nsec的典型输出上升和下降时间（1000pF的容性负载）最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路（见功能）。电流模式控制，允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2％，大大减少了外部组件计数。 TC170
2012-11-25
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