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位置：首页 > IC中文资料第6882页 > MTD1N60E

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MTD1N60E

TMOSPOWERFET1.0AMPERE600VOLTSRDS(on)=8.0OHM

TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistor DPAKforSurfaceMount N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.InadditionthisadvancedTMOSE

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola
MTD1N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
MTD1N60ET4

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.08608 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
MTD1N60ET4G

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.08608 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
1N60

GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE

GermaniumGlassDiode Features •GermaniumGlassDiode •RoHSCompliance

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
1N60

SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors

FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse
1N60

SchottkyBarrierDiode

Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar

FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

FORMOSA
1N60

JEDECDO-7PACKAGE

JEDECDO-7PACKAGE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1
1N60

1.2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC1N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpow

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

MTD1N60E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTD1N60E

  • 制造商

    MOTOROLA

  • 制造商全称

    Motorola, Inc

  • 功能描述

    TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM

MTD1N60E供应商更多...

更新时间：2025-8-3 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市金芯世纪电子有限公司
MTD1N60E
ON/安森美
22+
SOT252
100000
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MTD1N60E
ON/安森美
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MTD1N60ET4G
ON
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MTD1N60ET4
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ON/安森美
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MTD1N60ET4
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SOT-252
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MTD1N60E
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24+
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MTD1N60E
MOTOROLA/摩托罗拉
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TO-252
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深圳市创新迹电子有限公司
MTD1N60E
ON/安森美
2022+
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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