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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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ANTI-SULFURATEDCHIPRESISTORS 文件：555.92 Kbytes Page：8 Pages | YAGEOYageo Corporation 国巨台湾国巨股份有限公司 |  |   | |
ANTI-SULFURATEDCHIPRESISTORS 文件：560.43 Kbytes Page：8 Pages | YAGEOYageo Corporation 国巨台湾国巨股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FARADAY |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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AF |
23+ |
QFN48 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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AF |
22+ |
LQFN48 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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24+ |
64 |
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AF |
24+ |
SMD |
32650 |
一级代理/放心采购 |
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AF |
24+ |
LQFN48 |
60000 |
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2658 |
原装现货 |
TC164-JR-13100KL芯片相关品牌
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TC160G16AF-0015，TC160G41AF-1415，TC160G70AF
2020-4-12TC203G74ES
TC203G74ES
2019-11-11TC1410-0.5A的高速MOSFET驱动器
概述0.5V时的TC1410/1410N是缓冲区的CMOS/驱动器。他们不会在任何情况下锁定了其权力范围内和电压等级。他们不是受损害时，高达任何极性扣球发生在5V的噪声接地引脚。他们可以接受，而不会损坏或逻辑不安，高达500mA的电流极性任被迫返回到他们的输出。所有终端得到充分保护，以防止注册4kV的静电放电。由于MOSFET驱动器，可以很容易的TC1410/1410N开关25nsec与匹配的上升500pF陶瓷电容的栅极电容和下降时间，并提供足够的阻抗都低ON和OFF的状态，以确保MOSFET的预期状态不会受到影响，甚至大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配，让驾驶更准确的
2013-2-25TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器
特征低的成本闭锁保护：可承受500毫安的反输出电流ESD保护..................±2千伏高峰值输出电流.................1.2A的峰值高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec宽工作电压范围.................4.5V至16V的低延时.................75nsec最大独立的逻辑输入阈值电源电压输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..
2013-2-24TC170-CMOS电流模式PWM控制器
TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。50nsec的典型输出上升和下降时间（1000pF的容性负载）最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路（见功能）。电流模式控制，允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2％，大大减少了外部组件计数。TC170
2012-11-25
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