| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IEC Plug I, Cord Connector (Rewireable), Angled 文件：389.18 Kbytes Page：3 Pages | SCHURTER 硕特 |   | ||
MSA-compatible 2.5 Gb/s Cooled DFB TOSA 文件：131.96 Kbytes Page：1 Pages | BOARDCOM 博通 | | ||
Original Strain Relief Bushings 文件：116.82 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
Silicone Elastomer 4x4 Button Keypad - for 3mm LEDs 文件：155.9 Kbytes Page：3 Pages | Adafruit | | ||
1 廓 Typical On Resistance, 짹5 V, 12 V, 5 V, and 3.3 V Quad SPST Switches 文件：436.78 Kbytes Page：16 Pages | AD 亚德诺 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2022-6-28TC160G16AF-0015，TC160G41AF-1415，TC160G70AF
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2020-4-12TC203G74ES
TC203G74ES
2019-11-11TC1410-0.5A的高速MOSFET驱动器
概述 0.5V时的TC1410/1410N是缓冲区的CMOS/驱动器。他们不会在任何情况下锁定了其权力范围内和电压等级。他们不是受损害时，高达任何极性扣球发生在5V的噪声接地引脚。他们可以接受，而不会损坏或逻辑不安，高达500mA的电流极性任被迫返回到他们的输出。所有终端得到充分保护，以防止注册4 kV的静电放电。由于MOSFET驱动器，可以很容易的TC1410/1410N开关25nsec与匹配的上升500 pF陶瓷电容的栅极电容和下降时间，并提供足够的阻抗都低ON和OFF的状态，以确保MOSFET的预期状态不会受到影响，甚至大的瞬态。上升和下降时间的边缘匹配，让驾驶更准确的
2013-2-25TC1426-1.2A的双路高速MOSFET驱动器
特征 低的成本 闭锁保护：可承受500毫安的反输出电流 ESD保护..................±2千伏 高峰值输出电流................. 1.2A的峰值 高容性负载驱动能力.................为1000pF在38nsec 宽工作电压范围.................4.5V至16V的 低延时................. 75nsec最大 独立的逻辑输入阈值电源电压 输出电压摆幅25mV的范围内的接地或VDD低输出阻抗..
2013-2-24TC170-CMOS电流模式PWM控制器
TC170带来的低功耗CMOS技术电流模式开关电源控制器市场。最大供电电流为3.8毫安。双极电流模式控制集成电路要求的5倍以上的操作系统电流。图腾柱的双CMOS输出驱动电源MOSFET或双极晶体管。 50nsec的典型输出上升和下降时间（1000pF的容性负载）最小化MOSFET功耗。输出峰值电流为300mA。TC170包含一个全面的系统保护阵列电路（见功能）。电流模式控制，允许用户并行电源模块。可以从属于两个或两个以上TC170控制器并行操作。电路可以工作在掌握TC170内部振荡器或外部系统振荡器。TC170经营从8V至16V电源。5.1V参考内部的2％，大大减少了外部组件计数。 TC170
2012-11-25
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