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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
TBT4836	Pigtailed PD for analog application 文件：250.67 Kbytes Page：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AO4836	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4836 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. It is ESD protected. AO4836 is Pbfree (meets ROHS & Sony 259 s	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4836L	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4836 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in buck converters. It is ESD protected. AO4836 is Pbfree (meets ROHS & Sony 259 s	AOSMD 万国半导体	AOSMD
4836	NYLON M/F HEX STANDOFF 文件：230.74 Kbytes Page：1 Pages	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.	KEYSTONE
4836	Quick Connect Terminals 文件：299.91 Kbytes Page：1 Pages	Heyco	Heyco
4836	MALE/FEMALE THREADED STANDOFFS 文件：310.8 Kbytes Page：1 Pages	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.	KEYSTONE

TBT4836供应商更多...

更新时间：2025-11-21 16:06:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	TBT-B.7-AL	OKWEnclosures	新		5	全新原装货期两周	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	TBT4A250V		24+	N/A	61000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
兆亿微波(北京)科技有限公司	TB-TAMP1521GLN+	Mini-circuits			1000		询价
上海市鑫鸿达电子	TBT-B.7-AL	OKW Enclosures	2022+		1	全新原装货期两周	询价

TBU-DT065-200-WH坚持原装，现货价低
TBU-DT065-200-WH坚持原装，现货价低
2024-8-17
TBL009V-254-02GY-2GY
TBL009V-254-02GY-2GY
2024-5-22
TC1016-1.8VCTTR
TC1016-1.8VCTTR 电源管理芯片 Microchip 封装SOT23-5
2022-7-15
TBP28S86JP4
TBP28S86JP4
2022-6-17
TBP28L22N
TBP28L22N
2019-11-2
TC1014-50毫安CMOS LDO稳压器关断和参考旁路
一般说明 TC1014是一个高准确度（通常为±0.5％）CMOS（双极），如低压差稳压器升级LP2980。专为电池供电系统的，TC1014的CMOS结构消除浪费接地电流，显着延长电池寿命。共有电源电流通常是在满负荷（50毫安20至60倍低于双极型稳压器）。TC1014的主要特性包括超低噪声操作（加上可选的旁路输入）;非常低的压差电压（在满负荷通常95mV）和内部前馈补偿快速响应，以加强对负荷变化。供应当关断输入电流减少到小于1mA低。 TC1014还结合过温和过电流保护。TC1014是稳定，只有一个输出电容1MF和最大输出电流为100mA。对于高输出版本，请参阅TC1107，
2013-1-11