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N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs . . . designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications up to 400 MHz range, in either single ended or push–pull configuration. • Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance MRF136

MOTOROLA

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W)

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 8.0 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 70 WATTS

MOSPEC

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2.5V REFERENCE DIODE

文件:108.67 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

2.5V REFERENCE DIODE, GUARANTEED TO 100K RADSi TESTED TO MIL-STD-883, METHOD 1019.5

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NSC

国半

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NSC

国半

TBD136产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TBD136

  • 制造商

    SPC Multicomp

  • 功能描述

    TRANSISTOR PNP TO-126

更新时间:2026-8-1 18:34:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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