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TB2600M价格

参考价格：￥2.6968

型号：TB2600M-13 品牌：Zetex 备注：这里有TB2600M多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，TB2600M批发/采购报价，TB2600M行情走势销售排行榜，TB2600M报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TB2600M

50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

Features • 50A Peak Pulse Current @ 10/1000μs • 250A Peak Pulse Current @ 8/20μs • 58 - 320V Stand-Off Voltages • Oxide-Glass Passivated Junction • Bidirectional Protection In a Single Device • High Off-State impedance and Low On-State Voltage • Helps Equipment Meet GR-1089-CORE, IEC 61000-

DIODES

美台半导体

TB2600M

SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

Bi-Directional VDRM - 58 to 320 Volts IPP - 50 Amperes FEATURES ● Oxide Glass Passivated Junction ● Bidirectional protection in a single device ● Surge capabilities up to 50A @10/1000us or 250A @8/20us ● High off state Impedance and low on state voltage ● Plastic material has UL flammab

LITEON

光宝科技

TB2600M

THYRISTOR SURGE SUPPRESSORS

Features ● 50A Peak Pulse Current @ 10/1000ms ● 250A Peak Pulse Current @ 8/20ms ● 58 - 320V Stand-Off Voltages ● Oxide-Glass Passivated Junction ● Bi-Directional Protection In a Single Device ● High Off-State impedance and Low On-State Voltage

SUNMATE

森美特

TB2600M

thyristor

50A Peak Pulse Current @ 10/1000μs250A Peak Pulse Current @ 8/20μs58 - 320V Stand-Off VoltagesOxide-Glass Passivated JunctionBi-Directional Protection In a Single DeviceHigh Off-State impedance and Low On-State VoltageHelps Equipment Meet GR-1089-CORE, IEC 61000-4-5, FCC Part 68, ITU-T\n K.20/K.21;

DIODES

美台半导体

TB2600M

220V Lightning proof pipe

文件：677.534 Kbytes Page：3 Pages

SUNMATE

森美特

PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司

TB2600M

SURFACE MOUNT THYRISTORSURGE PROTECTIVE DEVICE

文件：677.534 Kbytes Page：3 Pages

SUNMATE

森美特

PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司

TB2600M

防雷管

SUNMATE

森美特

TB2600M

50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

文件：76.63 Kbytes Page：4 Pages

DIODES

美台半导体

TB2600M

50A BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR DUAL NPN TRANSISTOR

文件：114.05 Kbytes Page：5 Pages

DIODES

美台半导体

TB2600M-13

50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

Features • 50A Peak Pulse Current @ 10/1000μs • 250A Peak Pulse Current @ 8/20μs • 58 - 320V Stand-Off Voltages • Oxide-Glass Passivated Junction • Bidirectional Protection In a Single Device • High Off-State impedance and Low On-State Voltage • Helps Equipment Meet GR-1089-CORE, IEC 61000-

DIODES

美台半导体

TB2600M-13

封装/外壳：DO-214AA，SMB 包装：卷带（TR） 描述：THYRISTOR 220V 250A DO214AA 电路保护 TVS - 晶闸管

DIODES

美台半导体

TB2600M-13-F

包装：卷带（TR） 描述：THYRISTOR 220V 250A DO214AA 电路保护 TVS - 晶闸管

DIODES

美台半导体

TB2600M-13-F

50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

文件：76.63 Kbytes Page：4 Pages

DIODES

美台半导体

MRFA2600

RF POWER AMPLIFIER

The RF Line Broadband RF Array for TV Transmitter The MRFA2600 is a solid state class A amplifier and is specifically designed for TV transposers and transmitters. This amplifier incorporates microstrip technology and reliable Motorola push–pull transistors. • Specified 26.5 Volts: 470–860 MHz

MOTOROLA

摩托罗拉

OLB2600

LIGHT BARS

SIEMENS

西门子

PLVA2600A

Low-voltage avalanche regulator double diodes

DESCRIPTION The PLVA2600A series consists of two high performance voltage regulator diodes with common anodes, in small SOT23 plastic SMD packages. The series consists of PLVA2650A to PLVA2668A. FEATURES • Very low dynamic impedance at low currents: approximately 1⁄20 of conventional series •

PHILIPS

飞利浦

TCET2600

Optocoupler with Phototransistor Output

Description The TCET1600/ TCET2600/ TCET4600 consists of a phototransistor optically coupled to 2 gallium arsenide infrared-emitting diodes in a 4-lead up to 16-lead plastic dual inline package. The elements are mounted on one leadframe using a coplanar technique, providing a fixed distance betw

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

TEST2600

Silicon NPN Phototransistor

文件：98.72 Kbytes Page：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

TB2600M产品属性

  • 类型

    描述

  • Off-State Capacitance CO：

    60 pF

  • Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM：

    220 V

  • Off-State Leakage Current @ VDRM：

    5 µA

  • On-State Voltage @ IT = 1A VT：

    3.5 V

  • Breakover Current IBO Min：

    50 mA

  • Breakover Current IBO Max：

    800 mA

  • Holding Current IH Min：

    150 mA

  • Holding Current IH Max：

    800 mA

  • Packages：

    SMB

TB2600M供应商更多...

更新时间：2026-8-3 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
TB2600M-13-F
Diodes Incorporated
25+
DO-214AA-2
6895
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
深圳市高捷芯城科技有限公司
TB2600M-13-F
Diodes Incorporated
25+
DO-214AA-2
6843
样件支持,可原厂排单订货!
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中天科工半导体（深圳）有限公司
TB2600M-13-F
DIODES
20+
SMB(DO-214AA)
36800
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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深圳市科芯源微电子有限公司
TB2600M-13-F
DIODES/美台
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原厂原封可拆样
54687
百分百原装现货 实单必成
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深圳市威雅利发展有限公司
TB2600M-13-F
DIODES
15+
DO-214AA
3000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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深圳市正纳电子有限公司
TB2600M-13-F
Diodes(美台)
26+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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瀚佳科技(深圳)有限公司
TB2600M
Liteon
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绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!
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深圳市赛美科科技有限公司
TB2600M-13-F
DIODES/美台
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SMB(DO-214AA)
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原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
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深圳市乾能惠电子有限公司
TB2600M
DIODES/美台
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深圳市科恒伟业电子有限公司
TB2600M-13-F
DIODES/美台
2450+
DO-214AA
6540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价

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TB2600M规格书下载地址

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  • TAS6422EQDKQRQ1

    TAS6422EQDKQRQ1

    2023-3-28

  • TAS5766M

    TAS5766M,全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

    2021-4-7

  • TB6560AFG

    TB6560AFG，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-8-1

  • TB31262FG

    TB31262FG 全新原装

    2020-1-28

  • TB62747AFG

    TB62747AFG，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-11

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