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N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM75N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with

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爱德微

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 87A, RDS(ON) = 12mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

CET

华瑞

Fast Switching Speed

文件:65.68 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.27408 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-13 15:15:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO263
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
CET/華瑞
20+
TO-263
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
CET
24+
5000
CET/华瑞
25+
SOT263
4500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
CET/華瑞
2022+
TO-263
800
原厂代理 终端免费提供样品
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
Central
24+
SOP-4
6000
公司现货库存,支持实单
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO263
60000
全新原装现货
CET/華瑞
2511
TO-263
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
VB
25+
T0-263
1015
原装正品,假一罚十!

T75N06HD数据表相关新闻

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    2023-10-26
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    2023-3-16
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    2021-1-15
  • T6V0S5-7

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • T835H-6I(原厂授权中国分销商)

    主要参数: 分立半导体产品 电压 - 断态 :600V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值): 8A 电压 (Vgt)(最大值): 1V 电流 50,60Hz(Itsm): 80A,84A 电流 (Igt)(最大值): 35mA 电流 - 保持(Ih)(最大值): 35mA 工作温度 :-40°C ~ 150°C 安装类型: 通孔 封装 :TO-220-3

    2020-3-6