型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Dual 4-Input NAND Gate

General Description This device contains two independent gates each of which performs the logic NAND function.

Fairchild

仙童半导体

Dual 4-input Positive NAND Gates

● Quadrupie 2-Input Positive NAND Gates ● Quadruple 2-Input Positive NAND Gates (with Open Collector Output) (Continue....)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

DUAL 4-INPUT NAND GATE

DUAL 4-INPUT NAND GATE LOW POWER SCHOTTKY

Motorola

摩托罗拉

Dual 4-Input NAND Gates

文件:124.24 Kbytes Page:6 Pages

NSC

国半

DUAL 4-INPUT POSITIVE-NAND GATES

文件:247.12 Kbytes Page:7 Pages

TI

德州仪器

更新时间:2025-12-12 15:45:01
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    2021-1-15
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    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • T835H-6I(原厂授权中国分销商)

    主要参数: 分立半导体产品 电压 - 断态 :600V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值): 8A 电压 (Vgt)(最大值): 1V 电流 50,60Hz(Itsm): 80A,84A 电流 (Igt)(最大值): 35mA 电流 - 保持(Ih)(最大值): 35mA 工作温度 :-40°C ~ 150°C 安装类型: 通孔 封装 :TO-220-3

    2020-3-6