| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DUAL4-INPUTNANDGATE DUAL4-INPUTNANDGATE LOWPOWERSCHOTTKY | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  |   | |
Dual4-InputNANDGate GeneralDescription ThisdevicecontainstwoindependentgateseachofwhichperformsthelogicNANDfunction. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
Dual4-inputPositiveNANDGates ●Quadrupie2-InputPositiveNANDGates ●Quadruple2-InputPositiveNANDGates(withOpenCollectorOutput) (Continue....) | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |  | | |
Dual4-InputNANDGates 文件：124.24 Kbytes Page：6 Pages | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 |  | | |
DUAL4-INPUTPOSITIVE-NANDGATES 文件：247.12 Kbytes Page：7 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-11-13T835H-6I（原厂授权中国分销商）
主要参数： 分立半导体产品 电压-断态：600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）：8A 电压（Vgt）（最大值）：1V 电流50，60Hz（Itsm）：80A，84A 电流（Igt）（最大值）：35mA 电流-保持（Ih）（最大值）：35mA 工作温度：-40°C~150°C 安装类型：通孔 封装：TO-220-3
2020-3-6
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