| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 21.7A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =75mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |||
Full Swing Low Voltage Operation CMOS Operational Amplifiers 文件:692.76 Kbytes Page:37 Pages | ROHM 罗姆 | |||
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isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:379.41 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
RF AMPLIFIER MODEL 文件:73.72 Kbytes Page:1 Pages | APITECH |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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恩XP |
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NA/ |
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恩XP |
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https://hch01.114ic.com/
2020-11-13T835H-6I(原厂授权中国分销商)
主要参数: 分立半导体产品 电压 - 断态 :600V 电流 - 通态(It(RMS))(最大值): 8A 电压 (Vgt)(最大值): 1V 电流 50,60Hz(Itsm): 80A,84A 电流 (Igt)(最大值): 35mA 电流 - 保持(Ih)(最大值): 35mA 工作温度 :-40°C ~ 150°C 安装类型: 通孔 封装 :TO-220-3
2020-3-6
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