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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

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HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

25A,80VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:159.25 Kbytes Page:3 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
更新时间:2025-7-16 10:42:01
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