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N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features • 20V/12A, RDS(ON)=55mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=75mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=140mΩ(typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • High Power and Current Handling Capability • TO-252 and SOT-223 Packages Applications • Switching R

ANPEC

茂达电子

Highpass Filter

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Universal Bushings

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Open/Closed Universal Bushings

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Heyco

SYSDRIVE 3G3HV Series

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OMRON

欧姆龙

更新时间:2025-12-26 23:01:01
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