型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
T1G6003028-FL

30W, 28V, DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor

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TriQuint

T1G6003028-FL

30W, 28V, DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor

QORVO

威讯联合

30W, 28V, DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor

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TriQuint

30W, 28V, DC ??6 GHz, GaN RF Power Transistor

General Description The TriQuint T1G6003028-FS is a 30 W (P3dB) discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6 GHz. The device is constructed with TriQuint’s proven 0.25 µm process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating

TriQuint

30W, 28V, DC 6 GHz, GaN RF Power Transistor

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TriQuint

T1G6003028-FL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    T1G6003028-FL

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 功能描述

    RF POWER TRANSISTOR GAN

更新时间:2025-11-24 18:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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06+
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SOT23
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TI
17+
SOT23
6200
100%原装正品现货
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24+
SOT89
1000

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