位置:首页 > IC中文资料第5907页 > T160N10
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件:1.79755 Mbytes Page:8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司 | |||
N-ChannelEnhancementModePowerMosfet 文件:4.148479 Mbytes Page:7 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 | |||
N-ChannelEnhancementModePowerMosfet 文件:4.17166 Mbytes Page:7 Pages | FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司 | |||
TrenchMVPowerMOSFET 文件:180.6 Kbytes Page:5 Pages | IXYS IXYS Corporation | |||
iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件:299.23 Kbytes Page:2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |
T160N10产品属性
- 类型
描述
- 型号
T160N10
- 功能描述
SCR模块 1KV 3.8KA
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 开启状态
RMS
- 电流(It_RMS)
260 A
- 不重复通态电流
4000 A 最大转折电流
- IBO
4200 A 额定重复关闭状态电压
- VDRM
1.6 kV
- 关闭状态漏泄电流(在VDRM_IDRM下)
20 mA
- 开启状态电压
1.43 V 保持电流(Ih
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
Chassis
- 封装/箱体
INT-A-PAK
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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BUSSMANN |
25+23+ |
NHFUSE |
20668 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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BUSSMANN |
2018+ |
NHFUSE |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
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BUSSMANN |
17+ |
NHFUSE |
6200 |
100%原装正品现货 |
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17 |
24+ |
DFN-85X6 |
3000 |
原装现货假一赔十 |
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17 |
23+ |
DFN-85X6 |
6000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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BUSSMANN/巴斯曼 |
11+ |
NHFUSE |
200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
BUSSMANN |
NH FUSE |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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AEG |
23+ |
模块 |
400 |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
|||
COOPERBUSSMA |
24+ |
模块 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
BUSSMANN/巴斯曼 |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
T160N10规格书下载地址
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2020-4-9
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