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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 21.7A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =75mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
Full Swing Low Voltage Operation CMOS Operational Amplifiers 文件：692.76 Kbytes Page：37 Pages | ROHM 罗姆 | | ||
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isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：379.41 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
RF AMPLIFIER MODEL 文件：73.72 Kbytes Page：1 Pages | APITECH | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-11-13T835H-6I（原厂授权中国分销商）
主要参数： 分立半导体产品 电压 - 断态 ：600V 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）： 8A 电压 （Vgt）（最大值）： 1V 电流 50，60Hz（Itsm）： 80A，84A 电流 （Igt）（最大值）： 35mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）： 35mA 工作温度 ：-40°C ~ 150°C 安装类型： 通孔 封装 ：TO-220-3
2020-3-6
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