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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=21.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

FullSwingLowVoltageOperationCMOSOperationalAmplifiers

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

FullSwingLowVoltageOperationCMOSOperationalAmplifiers

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

RFAMPLIFIERMODEL

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APITECH

API Technologies Corp

APITECH
更新时间:2025-7-18 13:37:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT428
100000
原厂原装正品现货

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    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • T835H-6I(原厂授权中国分销商)

    主要参数: 分立半导体产品 电压-断态:600V 电流-通态(It(RMS))(最大值):8A 电压(Vgt)(最大值):1V 电流50,60Hz(Itsm):80A,84A 电流(Igt)(最大值):35mA 电流-保持(Ih)(最大值):35mA 工作温度:-40°C~150°C 安装类型:通孔 封装:TO-220-3

    2020-3-6