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VNS1NV04D-E中文资料

厂家型号

VNS1NV04D-E

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252.12Kbytes

页面数量

14

功能描述

?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

VNS1NV04D-E数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The VNS1NV04D is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 50KHz applications.

■ LINEAR CURRENT LIMITATION

■ THERMAL SHUT DOWN

■ SHORT CIRCUIT PROTECTION

■ INTEGRATED CLAMP

■ LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN

■ DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT

PIN

■ ESD PROTECTION

■ DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE

POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)

■ COMPATIBLE WITH STANDARD POWER

MOSFET

VNS1NV04D-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNS1NV04D-E

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-19 13:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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