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VNS1NV04DP-E中文资料
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Features
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the power mosfet
(analog driving)
• Compatible with standard power mosfet
• In compliance with the 2002/95/EC european
directive
VNS1NV04DP-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
VNS1NV04DP-E
- 功能描述
MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-12-14 14:15:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
STMicroelectronics |
24+ |
8-SO |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
STMicroelectronics |
24+ |
8-SO |
36500 |
一级代理/放心采购 |
|||
STMicroelectronics |
25+ |
8-SOIC |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
STM |
15+ |
原厂原装 |
4000 |
进口原装现货假一赔十 |
|||
ST |
23+ |
20000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
||||
ST |
10+ |
SOP8 |
6000 |
原装现货价格有优势量多可发货 |
|||
ANALOG |
100 |
STM |
4000 |
||||
ST |
1701+ |
SO-8 |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
ST |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
VNS1NV04DP-E 价格
参考价格：￥3.7547
型号：VNS1NV04DP-E 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有VNS1NV04DP-E多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VNS1NV04DP-E批发/采购报价，VNS1NV04DP-E行情走势销售排排榜，VNS1NV04DP-E报价。
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- C-600H-45-C60B03A3L15AB
- C-600H-45-C60B03A3L19AB
- C-600H-45-C60B03A3L29AB
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- CGA6P3X7R2E
- CGA6P3X7R2J
- CGA6P3X7R2W
- CGA6P3X7S2A
- CGA6P3X7S2E
- CGA6P3X7S2W
- HCPL-263N-000E
- HCPL-263N-020E
- HCPL-263N-300E
- HCPL-263N-320E
- HCPL-263N-500E
- HCPL-263N-520E
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