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STI23NM60N中文资料

厂家型号

STI23NM60N

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554.08Kbytes

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19

功能描述

N-channel 600 V - 0.150 廓 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh??Power MOSFET

MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STI23NM60N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STI23NM60N

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 14:16:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
24+
NA
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