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STGW19NC60HD中文资料

STGW19NC60HD
厂家型号

STGW19NC60HD
文件大小

511.88Kbytes
页面数量

18页
功能描述

19 A - 600 V - very fast IGBT

IGBT 晶体管 19 A - 600 V Very fast IGBT
数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

相近规格书

STGW19NC60HD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGW19NC60HD

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 19 A - 600 V Very fast IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

STGW19NC60HD供应商...

更新时间：2025-10-13 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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STGW19NC60HD
ST(意法半导体)
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STGW19NC60HD 价格

参考价格：￥7.8586

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