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STGIPS35K60L1中文资料

厂家型号

STGIPS35K60L1

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623.62Kbytes

页面数量

21

功能描述

Short-circuit rugged IGBTs

MOSFET SLLIMM IPM 35A 600V Rugged IGBT 4.7kOhm

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGIPS35K60L1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGIPS35K60L1

  • 功能描述

    MOSFET SLLIMM IPM 35A 600V Rugged IGBT 4.7kOhm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STM
25+
SMD
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23+
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STGIPS35K60L1 价格

参考价格:¥202.3387

型号:STGIPS35K60L1 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGIPS35K60L1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGIPS35K60L1批发/采购报价,STGIPS35K60L1行情走势销售排排榜,STGIPS35K60L1报价。