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STGD8NC60KDT4中文资料

厂家型号

STGD8NC60KDT4

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18

功能描述

600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT

IGBT 晶体管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGD8NC60KDT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGD8NC60KDT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 8:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
24+
TO-252
2669
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
ST/意法
25+
TO252
32360
ST/意法全新特价STGD8NC60KDT4即刻询购立享优惠#长期有货
ST/意法半导体
22+
DPAK-3
6004
原装正品现货 可开增值税发票
ST
24+
TO-263
7500
ST
23+
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STGD8NC60KDT4 价格

参考价格:¥4.1800

型号:STGD8NC60KDT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGD8NC60KDT4多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGD8NC60KDT4批发/采购报价,STGD8NC60KDT4行情走势销售排排榜,STGD8NC60KDT4报价。