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STGD7NB60M中文资料

厂家型号

STGD7NB60M

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529.36Kbytes

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11

功能描述

N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / DPAK PowerMESH™ IGBT

IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGD7NB60M数据手册规格书PDF详情

n HIGH INPUT IMPEDANCE

n LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)

n OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

n LOW GATE CHARGE

n HIGH CURRENT CAPABILITY

n HIGH FREQUENCY OPERATION

n CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH™

ANTIPARALLEL DIODE

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a

patented strip layout, STMicroelectronics has designed

an advanced family of IGBTs, the Power-

MESH™ IGBTs, with outstanding perfomances.

The suffix M identifies a family optimized to

achieve very low switching switching times for high

frequency applications (<20KHZ)

APPLICATIONS

n MOTOR CONTROLS

n SMPS AND PFC AND BOTH HARD SWITCH

AND RESONANT TOPOLOGIES

STGD7NB60M产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGD7NB60M

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
24+
TO252DPAK
8866
ST全系列
25+23+
DPAK
26278
绝对原装正品全新进口深圳现货
ST/意法
25+
TO-252-2
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50000
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23002