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STGD10NC60KDT4中文资料

厂家型号

STGD10NC60KDT4

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15

功能描述

N-channel 600V - 10A - DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

IGBT 晶体管 N Ch 600V 10A

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGD10NC60KDT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGD10NC60KDT4

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 N Ch 600V 10A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 14:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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STGD10NC60KDT4 价格

参考价格:¥3.5873

型号:STGD10NC60KDT4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGD10NC60KDT4多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGD10NC60KDT4批发/采购报价,STGD10NC60KDT4行情走势销售排排榜,STGD10NC60KDT4报价。

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