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Description
This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Extremely high dv/dt avalanche capabilities
Applications
■ Switching applications
STF10NM60ND产品属性
- 类型
描述
- 型号
STF10NM60ND
- 功能描述
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-10 14:00:00
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STF10NM60ND 价格
参考价格：￥7.6754
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