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Description
This FDmesh™ II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh™ technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Extremely high dv/dt avalanche capabilities
Applications
■ Switching applications
STF10NM60ND产品属性
- 类型
描述
- 型号
STF10NM60ND
- 功能描述
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
24+ |
TO-220FP |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
STMICROELECTRONICS |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
STM |
21+ |
1000 |
TO-220FP-3 |
||||
ST/意法半导体 |
22+ |
TO-220-3 |
6007 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
|||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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ST |
1701+ |
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只做原装进口,假一罚十 |
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ST |
25+23+ |
TO252 |
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STM原厂目录 |
24+ |
TO-220FP |
28500 |
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STM |
1809+ |
TO-220 |
1675 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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STF10NM60ND 价格
参考价格：￥7.6754
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- FK18C0G2E561J
- FK20C0G2A153J
- FK20X7R2E104K
- FK24C0G2A392J
- FK26C0G2A472J
- FK28C0G2A221J
- L2008D8
- L6004F51
- L6008D8
- OPA2134UA2K5
- OPB380
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- OPB981L51Z
- OPB982N51
- OPB983P55Z
- OPB990N11
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- P99
- P100
STMicroelectronics 意法半导体集团
中文资料: 161474条
意法半导体 (STMicroelectronics) 成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦和法国巴黎，是一家全球领先的半导体公司。意法半导体专注于设计、制造和销售各种半导体解决方案，产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、通信等领域。 意法半导体的产品包括微控制器、模拟集成电路、功率半导体、传感器等。公司拥有多个研发中心和生产基地，致力于技术创新和研发投入。意法半导体在全球范围内拥有广泛的客户群和合作伙伴，为客户提供高品质的产品和解决方案。 公司的使命是通过半导体技术推动智能化和可持续发展，助力客户取得成功。意法半导体不仅注重商业成功，还注重社会责任、环境保护和可持续经营。企业价值观包括创新、尊重
