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位置：STB11NM60N-1 > STB11NM60N-1详情

STB11NM60N-1中文资料

STB11NM60N-1
厂家型号

STB11NM60N-1
文件大小

623.95Kbytes
页面数量

21页
功能描述

N-channel 600 V - 0.37 廓 - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh??Power MOSFET

MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

相近规格书

STB11NM60N-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB11NM60N-1

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STB11NM60N-1供应商...

更新时间：2025-10-9 15:46:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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