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MSC82010中文资料

厂家型号

MSC82010

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5

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

MSC82010数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The MSC82010 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave transistor utilizing a fishbone emitter ballasted geometry with a refractory/gold metallization system. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated rated conditions. The MSC82010 was designed for Class C amplifier applications in the 1.0 - 2.0 GHz frequency range.

■ EMITTER BALLASTED

■ VSWR CAPABILITY ∞:1 @ RATED CONDITIONS

■ HERMETIC STRIPAC PACKAGE

■ POUT = 10 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN @ 2.0 GHz

MSC82010产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MSC82010

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

更新时间:2025-10-5 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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