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BU808DFI中文资料
BU808DFI产品属性
- 类型
描述
- 型号
BU808DFI
- 功能描述
达林顿晶体管 NPN Sw Darlington
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 配置
Octal
- 晶体管极性
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流
0.5 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-18
- 封装
Reel
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
11+ |
9810 |
||||||
08+(pbfree) |
TO-3PF |
8866 |
|||||
ST |
1408+ |
TO-3P |
8000 |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
|||
ST |
16+ |
原厂封装 |
4612 |
原装现货假一罚十 |
|||
ST |
23+ |
TO-3P |
1600 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
|||
AGERE |
23+ |
BGA |
8500 |
全新原装现货,公司只做原装。 |
|||
ST |
09+ |
TO-3P |
9855 |
特价热销现货库存100%原装正品欢迎来电订购! |
|||
ST |
16+ |
TO-3P |
10000 |
全新原装现货 |
|||
ST |
2020+ |
TO-3P |
210000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
ST |
17+ |
TO-3P |
9888 |
只做原装,现货库存 |
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BU808DFI 芯片相关型号
BU808DFI 晶体管资料
BU808DFI别名:BU808DFI三极管、BU808DFI晶体管、BU808DFI晶体三极管
BU808DFI生产厂家:德国电子元件股份公司
BU808DFI制作材料:Si-N+Darl+Di
BU808DFI性质:3PH_MOTOT_输出极 (E)
BU808DFI封装形式:直插封装
BU808DFI极限工作电压:1500V
BU808DFI最大电流允许值:12A
BU808DFI最大工作频率:<1MHZ或未知
BU808DFI引脚数:3
BU808DFI最大耗散功率:160W
BU808DFI放大倍数:
BU808DFI图片代号:B-70
BU808DFIvtest:1500
BU808DFIhtest:999900
- BU808DFIatest:12
BU808DFIwtest:160
BU808DFI代换 BU808DFI用什么型号代替:
Datasheet数据表PDF页码索引
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STMicroelectronics 意法半导体(ST)集团
意法半导体(ST)公司成立于1987年,是意大利SGS半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业,从成立之初至今,ST的增长速度超过了半导体工业的整体增长速度。自1999年起,ST始终是世界十大半导体公司之一。 整个集团共有员工近50,000名,拥有16个先进的研发机构、39个设计和应用中心、15主要制造厂,并在36个国家设有78个销售办事处。 公司总部设在瑞士日内瓦,同时也是欧洲区以及新兴市场的总部;公司的美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿;亚太区总部设在新加坡;日本的业务则以东京为总部;大中国区总部设在上海,负责香港、大陆和台湾三个地区的业务。 自1994年12月8日首次完成公开发行股