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DM170S12TDRB中文资料

厂家型号

DM170S12TDRB

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733.3Kbytes

页面数量

9

功能描述

1200V/17mΩ SIC Mosfet without Diode

数据手册

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简称

STARPOWER

生产厂商

StarPower Europe AG

中文名称

官网

LOGO

DM170S12TDRB数据手册规格书PDF详情

General Description

DOSEMI MOSFET Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

Features

 SiC power MOSFET

 Low RDS(on)

 Chip sintering technology

 Low inductance case avoid oscillations

 ROHS

Typical Applications

 Automotive application

 Hybrid and electric vehicle

 Inverter for motor drive

更新时间:2025-8-1 16:25:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NS
23+
DIP-14
9823
NS
22+
DIP-14
1000
全新原装现货!自家库存!
NS
2003
DIP-14
6000
绝对原装自己现货
NS/国半
23+
DIP14
50000
全新原装正品现货,支持订货
NS
23+
DIP14
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
NS/国半
24+
NA/
3831
原装现货,当天可交货,原型号开票
NSC/国半
25+
DIP14
581
原装正品,假一罚十!
NSC/国半
25+
DIP14
581
原装正品,假一罚十!
D-MICROIR
24+
DIP22
60000
HILISIN
2450+
NA
6540
只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品!

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StarPower Europe AG

中文资料: 400条

StarPower Europe AG是一家专注于为高功率设计提供优化功率模块的公司,其将先进的装配工艺与高效的硅(Si)和碳化硅(SiC)芯片技术相结合,推出了一系列广泛的标准模块,并根据行业趋势和市场需求不断更新产品系列;同时,公司也意识到部分项目有特殊需求,因此提供从不同芯片布局到基于现有封装和半导体范围改进热管理等多种定制服务;此外,公司还推出了如新型62mm封装的1200V 800A半桥IGBT模块、1200V 900A单IGBT模块、C6.1封装的1200V 900A半桥IGBT模块等产品,致力于为各应用领域提供成熟可靠的解决方案,并提供就业机会。